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IXTT6N120中文资料

  • 大小:589KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.6 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:56nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1950pF @ 25V
  • 功率 - 最大:300W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装:TO-268
  • 包装:管件

IXTT6N120供应商

更新时间:2023-01-10 10:06:58
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